JGD 1N5247B
" (1127)1N5247B: Zener 17V 0.5W 5%
Product Overview 1N5247B: Zener 17V 0.5W 5%
1N5247B材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件,包括产品编号、材料成分、RoHS合规性声明、环保信息等。文件详细列出了产品中使用的材料及其含量,并声明产品符合RoHS指令要求。同时,提供了供应商认证、产品环境 stewards联系方式等信息。
Material Composition Declaration 1N5247BTA
Material Composition Declaration 1N5247BTR
1N5247BTR材料成分声明
本资料为Onsemi公司对其产品中使用的物质进行声明,包括材料成分、环保合规性、RoHS指令符合性等信息。资料详细列出了产品中使用的各种材料及其含量,并声明产品符合RoHS指令的要求。同时,资料还提供了产品在制造过程中的温度、时间等工艺参数,以及供应商的认证信息。
1N5247BTA材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件,包括产品编号、材料成分、RoHS合规性声明、有害物质含量等信息。文件详细列出了产品中各成分的化学物质、CAS编号、含量及合规性,并声明产品符合RoHS指令要求。
Material Composition Declaration 1N5247BRL
1N5247BRL材料成分声明
本资料为Onsemi公司对一款特定元器件的化学物质声明,包括材料成分、RoHS合规性声明、环保信息等。声明中详细列出了元器件中含有的化学物质及其含量,并确认了该产品符合欧盟RoHS指令的要求。资料还提供了制造地点、重量、温度等信息。
KBPC CKGEC1500568002测试报告
本报告为SGS对JGD半导体公司提交的桥式整流器样品进行的RoHS指令2011/65/EU合规性测试报告。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示,样品中镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯(PBBs)和多溴联苯醚(PBDEs)的含量均符合RoHS指令规定的限值。
R-1 TSNEC1501589501试验报告
本报告为JGD SEMICONDUCTOR CO., LTD.提交的KBP封装整流器(HF)样品的测试报告。报告编号为TSNEC1501589501,测试日期为2015年11月24日至12月1日。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和备注。测试项目涉及镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、邻苯二甲酸酯等有害物质的含量检测,以及卤素、铍、全氟辛烷磺酸和全氟辛酸等物质的检测。测试结果显示,样品中部分有害物质含量低于限值,部分未检测到。
1N5220B THRU 1N5267B Silicon Planar Zener Diodes
ST810C Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diodes
SFAF501G THRU SFAF508G Glass Passivated Super Fast Rectifiers
1N4148WS Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
1N4001(L) THRU 1N4007(L) 1.0 Amp. Silicon Rectifiers
SL22 thru SL210 Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SB1620 THRU SB16100 Schottky Barrier Rectifiers
US3AAF THRU US3MAF 3.0 Amp. Surface Mount Glass Passivated High Efficient Rectifiers
RB521S-40 Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode
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